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北京凯发VR技术有限公司

VGF Strength. Performance. Innovation.

  北京凯发VR技术有限公司创建于1998年9月,位于北京市通州工业开发区,注册资金3000余万美元,占地近5万平方米,是位于美国加州的美国互聯網有限公司(AXT, Inc.)独资拥有的外资企业。公司主要从事包括砷化镓、磷化铟等在内的Ⅲ-Ⅴ族化合物及单晶锗半导体衬底材料的制造,产品主要应用于无线光纤通讯、红外光学、射线及光探测器、航天太阳能等领域,远销到欧洲、美洲、日本、韩国、东南亚、台湾等地区。 公司自成立以来,从总部AXT引进居世界领先地位的垂直梯度冷却晶体生长技术(VGF)、无刀痕线切割工艺、超平整机械化学抛光工艺、超洁净表面清洗技术、无玷污包装技术及超薄高强度锗晶片(太空日光能电源专用)的加工等多项生产工艺及技术。结合AXT和国际先进企业管理经验、各项高新技术及资金运作模式,公司规模不断扩大,产品质量稳步上升,产值保持平稳快速增长,获得了世界各地客户的高度评价。

  作为集研发、制造、销售于一身的企业,公司自成立初期起逐年扩大投资,从美国引进晶体生长、切割、抛光、检测设备,如,晶体生长反应炉、切片机、磨边机、真空退火炉、研磨机、抛光机、兆声波清洗机和全反射荧光光谱分析仪、无接触激光测平机、激光晶圆表面分析仪、光学比较仪等多套先进设备与仪器,拥有世界上最先进最完备的加工设备与测试仪器。在强大的资金支持与硬件保障的基础上,公司重视科技、广纳贤才,于2004年建立了以“创新世界化合物半导体技术”为目标的拥有高学历高水平高素质人才的研发团队,采用“产学研相结合”的方式,通过技术改革与自主创新,拥有了如垂直梯度冷凝法化合物半导体晶体生长技术、无刀痕线切割工艺、超平整机械化学抛光工艺、超洁净表面清洗技术、超薄高强度锗晶片加工技术等处于国际先进水平的加工工艺与技术,多数关键技术在国内尚属空白,国际上只有美国、德国和日本等少数国家拥有,并在国内外获得多项专利授权。目前公司的整个生产工艺技术可以说是代表着当代化合物半导体材料的国际先进水平。

  在管理运作方面,公司在结合国内及自身实际情况的基础上,借鉴国外先进的国际化经营管理模式,逐步形成一整套以“质量第一、科技为先、以人为本”为核心理念的系统完善的管理机制,建立了“尊重人才,重视产品质量,倡导自主研发”的企业文化。公司成立初期即通过了ISO9002国际质量体系认证并于2002年通过了ISO9001国际质量体系2000版换版认证。2013年通过TS16949认证。公司早在2002年获得北京市科技委员会授予的“外商投资高新技术企业”荣誉称号,被海关正式批准成为AA级管理企业。在2008年度国家重新认定“高新技术企业”工作中,公司顺利通过验收,再次获得“高新技术企业”称号,并于2010年被北京市知识产权局确立为“北京市专利试点单位”。目前,通过知识产权转让、专利申请等,公司共计在国内外申请专利82余项,其中,69项为发明专利,并且14项已获得授权(国内6项;国外8项);另外,13项实用新型中11项已获得国家授权。2011年,公司主导成立的技术中心,被北京市经济信息委员会认定为“北京市技术中心”,同年,被北京市科学技术委员会认定为“北京市科研机构”。

  在取得良好的经济效益与社会效益的同时,公司倍加重视企业社会责任的实现。一方面积极与国内科研机构、高等院校等建立起广泛密切的联系与交流,免费进行技术指导并提供科研用衬底材料样品;参与多项国家行业标准的制定,推动国内光电行业的发展;一方面启动助学计划,确立定点高中及大学,对品学兼优但家庭经济困难的学生提供助学资金;在为当地提供诸多就业机会的同时,为大学生提供实习机会,成为政府指定的“大学生社会实践基地”并被授予“北京市和谐劳动关系单位”称号,在相关业界及社会中获得了好评。

  随着国内光电子产业的不断成长以及世界半导体材料及光电通讯技术的迅猛发展,我公司的成长及壮大的环境不断优化,市场前景更为广阔,公司将继续扩大投资、生产与研发规模,为广大的国内外客户提供优质的产品以服务,在实现自身经济效益的同时,努力推动中国光电通讯事业的进步!




愿景和使命宣言






凯发大事记



  • 1986年,北京凯发VR技术有限公司的母公司AXT,Inc.成立,建于美国加州——全球高新技术最集中的“硅谷”地区。
  • 1998年,AXT,Inc.在美国NASDAQ上市,时值逾10亿美元,成为当时这一领域里的唯一上市公司。
  • 1998年,AXT,Inc.开始相继在北京、四川、山西、内蒙古、江苏等地投资建厂,形成了从原料到成品的链式产业。
  • 1998年,AXT,Inc.在中国北京通州工业开发区建立了第一家独资子公司——北京凯发VR技术有限公司,主要产品:砷化镓晶片,磷化铟晶片,锗晶片。
  • 1999年,北京吉亚半导体材料有限公司成立,总部位于北京,山西建厂,2001年开始生产,主要产品:4N镓。
  • 1999年,锡林郭勒通力锗业有限公司成立,主要产品:
      高纯氧化锗(5N),99.999%,白色粉末,生产锗产品的基础材料。
      高纯锗锭(8N),50cm 稀散金属,无毒,无放射性。
  • 1999年,公司通过了ISO9002国际质量体系认证。
  • 2000年,南京金美镓业有限公司成立,主要产品:
      从GaAs碎片和泥渣中提取4N镓
      从4N镓 提纯6N和7N镓,乃至7N+(MBE级)
      原材料B2O3
  • 2000年,峨眉山嘉美高纯材料有限公司,主要产品:6N和7N高纯砷
  • 2002年10月,北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司,2003年中期正式生产,主要产品:
      pBN器皿及相关产品
      VGF Crucibles
      LEC Crucibles (8inch and below)
      MBE crucibles
      Boats and other pBN products
  • 2011年6月,北京凯发VR技术有限公司投资在江苏省连云港市东海县建立东海县东方高纯电子材料有限公司,2012年下半年投产,主要产品:6N和7N高纯砷
  • 1999年,北京凯发VR技术有限公司通过了ISO 9002国际质量体系认证。
  • 2000年,北京凯发VR技术有限公司被评为“外商投资高新技术企业”。
  • 2001年至今,连续多年获得“北京市海关AA级管理企业”的认证。
  • 2002年,北京凯发VR技术有限公司通过了ISO 9001国际质量体系2000版换版认证。
  • 2002年5月,北京凯发VR技术有限公司被评为外商投资高新技术企业。
  • 2006年,北京凯发VR技术有限公司通过了ISO 14001:2004环境体系认证。
  • 2008年12月,北京凯发VR技术有限公司成为首批通过“全国高新技术企业”认定的公司之一。
  • 2010年,北京凯发VR技术有限公司被北京市知识产权局确立为“北京市专利试点单位”。
  • 2011年8月2日,北京凯发VR技术有限公司建立的技术研发中心被评为“北京市技术研发中心”。
  • 2011年12月,北京凯发VR技术有限公司通过了“全国高新技术企业”认定的复审。
  • 2012年5月,北京凯发VR技术有限公司被北京市科学技术委员会认定为“北京市科技研究开发机构”。
  • 2013年4月,北京凯发VR技术有限公司被北京市人力资源与社会保障局认定为“北京市博士后(青年英才)创新实践基地”。
  • 管理团队
    Morris Young博士
    首席执行官
    工作经验:
    1975年至1986年:先后供职于美国电报电话贝尔实验室和劳伦斯?利弗摩尔国家实验室
    1986年至今:创办AXT
    1989年至2004年:担任AXT董事长兼首席执行官
    2004年至2006年:先后担任北京凯发VR技术有限公司首席执行官和首席技术官
    2007年:从AXT的管理团队退休,仍继续担任董事会董事
    2009年7月至今:再度担任AXT首席执行官
    教育背景
    1963年至1967年:台湾成功大学冶金工程学士
    1967年至1970年:锡拉库扎大学冶金工程硕士
    1970年至1975年:纽约大学冶金工学院哲学博士
    Davis Zhang
    中国地区营运总裁
    工作经验:
    1986年:与Morris Young共同创建了AXT
    1987年至1993年:AXT高级生产经理
    1994年1月至1999年8月:AXT合资企业生产高级副总裁
    1999年至2003年:AXT分公司北京凯发VR技术有限公司总裁
    2003年至2009年:AXT生产高级副总裁
    2009年至今:担任AXT中国地区营运总裁
    教育背景
    中国传媒大学,机械工程专业,学士
    Robert G. Ochrym
    商务拓展,战略销售与营销部副总裁
    工作经历
    973年-2003年:在Uniroyal Optoelectronics公司,Northrop Grumman公司和Rhone-Poulenc公司从事销售与营销多种岗位的工作;
    2003年至2005年5月:担任Aixtron, Inc.美国国内销售经理,负责北美销售与营销;
    2005年6月至2009年:担任AXT商务拓展部副总裁;
    2009年10月至今:担任AXT商务拓展,战略销售与营销部副总裁。
    教育背景
    纽约锡拉库扎莱莫因大学,生物学学士
    Hani Badawi博士
    应用工程,知识产权,QC & QA测量副总裁
    工作经历
    1981年至2002年:担任ITT, Grumman Aerospace, Hughes Aircraft, Anadigics Corp.和ATMI;
    2002年至2004年:AmberWave Systems Corporation工程副总裁;
    2004年7月:加入AXT, Inc.;
    2005年3月:担任应用工程副总裁;
    2007年至2009年:增加负责知识产权与质量认证;
    Hani博士在GaAs领域拥有28年的经验,7项专利,在知名的期刊发表过30篇技术论文。
    教育背景
    埃及亚历山大大学,电力工程学士学位;
    英国肯特大学博士学位。
    Hani博士是电力与电子工程师学会(IEEE)的资深会员,电化学学会(ECS)会员,材料研究学会(MRS)会员。北美半导体设备暨材料协会(SEMI)标准化项目化合物半导体材料委员会,并且拥有化合物半导体生产技术国际会议技术项目委员会5年的会员经验。