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VGF技术


VGF 垂直梯度冷凝法(VGF)单晶生长技术是生长砷化镓、磷化铟等化合物半导体单晶的成熟技术。这种化合物半导体单晶做成的衬底比硅单晶衬底在器件应用方面有很大的优势。同时VGF技术在北京凯发VR技术有限公司也被用于锗单晶的生长。虽然美国AT & T贝尔实验室在20世纪80年代早期就开始研究VGF技术,但是在世界范围内美国互聯網集团公司(AXT)的创始人莫里斯.杨博士率先采用VGF技术实现了砷化镓和磷化铟等化合物单晶衬底材料商业化规模生产,并向全球范围的客户提供相应的单晶产品,使得AXT公司获得了极大的成功。公司1998年在纳斯达克上市,同年在北京投资全资子公司-北京凯发VR技术有限公司。


单晶衬底的制备到出货的全过程主要涉及到采用VGF技术生长一定直径的均质单晶材料、晶棒切割成一定厚度的单晶片、晶片边缘倒角、表面研磨和抛光处理、最后在10级和100级洁净室里分别进行晶片表面洁净处理和包装、最后装箱发送给客户等过程。相对于其他生长化合物半导体的技术,VGF技术的可扩展性强,生长的单晶材料具有内应力低、机械强度高和缺陷率低的优点。


北京凯发VR技术有限公司生产的衬底材料主要应用于发光显示、无线通讯、光纤通信、高效光伏发电等领域,如移动电话、卫星广播、雷达系统、激光器、发光二极营、航空级太阳能电池等,产品远销世界各地。我们拥有杰出的领导团队及丰富的行业知识和经验,这些知识和经验是公司技术创新和生产进步的强劲推动力。

自2009年以来,我公司共获得23项专利,其中发明专利12项(4项为国外专利);实用新型专利11项,具体情况见下表《授权专利清单》

2013年4月 技术中心被北京市知识产权局认定为“北京市专利示范单位”。

2013年7月15日北京市知识产权局、中关村知识产权促进局、国家知识产权局组成的审查员实践活动团一行9人赴我公司开展实践活动启动式,并进行审查员实践基地实践单位授牌仪式。通过调查员的实践活动,不但使我公司大部分工程师有机会与知识产权局的领导亲密接触,聆听有关知识产权保护相关的政策和法规,提高我们的知识产权保护意识;也使知识产权局调查员能够更详细的了解我公司知识产权管理的相关的工作,给我公司知识产权保护提供更好的服务和支持。



授权专利清单

序号 名      称 授权文件 授权时间
1 锗晶体生长的方法和装置(不确定) CN 101736401 B 2013-7-24
2 衬底的抛光装置及其抛光的衬底 CN 102172885 B 2013-5-15
3 从含细颗粒锗的废水中分离锗颗粒的方法 CN 102259960 B 2013-5-15
4 一种滑动测平尺 CN 202793297 U 2013-3-13
5 Low Etch Pit Density (EPD) Semi-Insulating GaAs Wafers US 8,361,225 2013-1-29
6 化合物半导体晶片清洗方法 CN 102064090 B 2013-1-9
7 制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品 CN 101307501 B 2013-5-15
8 一种载样定位装置 CN 202614193 U 2012-12-19
9 B2 SYSTEMS, METHODS AND POLISHING SOLUTIONS FOR CHEMICAL POLISHING OF GaAs WAFERS US 8,318,042 2012-11-27
10 一种真空吸附陶瓷移动盘抛光机 CN 202462188 U 2012-10-3
11 一种半导体晶片的化学机械抛光方法 CN 102009385 B 2012-8-29
12 B2 Crystal Growth Apparatus and Method (VGF+VB) US 8,231,727 2012-7-31
13 Method and Apparatus For Growing Semi-conductor Crystals with a Rigid Support with Carbon Doping & Resistivity & Thermal Gradient Control JP 5005651 2012-6-1
14 用于切割晶棒的卡具 CN 20241659 U 2012-5-30
15 激光可调节深度标记系统和方法 CN 101486278B 2012-5-23
16 晶片清洗及干燥花篮 CN 2021032 U 2012-1-4
17 抛光布 CN 202088119 U 2011-12-28
18 抛光机 CN 202088119 U 2011-12-28
19 晶片清洗夹具 CN 202084522 U 2011-12-21
20 一种晶片烘干机 CN 202083181 U 2011-12-21
21 晶片清洗夹具 CN 202084522 U 2011-6-29
22 晶片的切割设备 CN 201841612 U 2011-5-25
23 Method and Apparatus For Growing Semi-conductor Crystals with a Rigid Support with Carbon Doping & Resistivity & Thermal Gradient Control CA 2452542 C 2011-4-26
北京凯发VR技术有限公司企业技术中心

公司于2009年对原有的生产工艺及技术研发部门进行整合重组,正式成立技术中心。经过两年的努力,中心逐步成为公司以及集团母公司全球技术创新体系的核心,成为公司技术创新和进步的主要依托,有效地提高了公司的技术创新能力,增强了公司的核心竞争力。在自身的不懈努力与政府各级部门的支持下,取得了一些成绩。
具体情况如下:
1、2011年2月15日公司企业中心成为经北京市经济信息委员会评定合格的北京市第十三批“市级企业技术中心”。



2、 2012年5月31日北京市科学技术委员会授予我们技术中心为“北京科技研究开发机构”。



3、2013年1月17日,被中关村科技园区管理委员会认定为“中关村高新技术企业”并发放了证书。



4、2013年4月,北京市人力资源和社会保障局认定为“中关村科技园区通州园 北京市博士后(青年英才)创新实践基地站”。



5、2013年8月被北京市通州区科技领导小组办公室授予“通州区优秀科技企业”称号。